Yves Chabal

Yves Jean Chabal (* 5. August 1952 in Pau[1], Frankreich) ist ein US-amerikanischer Physiker.

Chabal erhielt 1974 den Bachelor-Abschluss in Physik an der Princeton University und 1980 den Ph.D.[1] an der Cornell University. Anschließend war er bis 1996 an den Bell Laboratories und arbeitete dann bis 2002 bei Lucent Technologies. Von 2002 bis 2008 war Chabal an der Rutgers University als Professor für Chemie, biomedizinische Forschung und Physik. Seitdem ist er an der University of Texas Professor für Nanoelektronik.[2]

Chabal gilt als einer der führenden Experten auf dem Gebiet der Oberflächen von Halbleitern und deren Beschaffenheit. Diese Forschung soll kleinere, stärkere und energieeffizientere Halbleiter ermöglichen.

Auszeichnungen

  • 1996 Fellow der American Physical Society
  • 2009 Davisson-Germer-Preis zusammen mit Krishnan Raghavachari[3]
  • 2012 Medard W. Welch Award
  • Homepage von Chabal an der University of Texas
  • Biographie auf AIP

Einzelnachweise

  1. a b Yves Jean Chabal: Infrared study of hydrogen chemisorbed on W(100) by surface electromagnetic wave spectroscopy. 1980 (Ph.D. Thesis, Cornell University, Januar 1980). 
  2. Preeminent Scientist Yves Chabal to Join UT Dallas. Archiviert vom Original (nicht mehr online verfügbar) am 7. September 2015; abgerufen am 16. November 2012 (englisch).  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.utdallas.edu 
  3. Prize Recipient Yves Chabal. Abgerufen am 16. November 2012 (englisch). 
Normdaten (Person): LCCN: n89624105 | VIAF: 234160 | Wikipedia-Personensuche | Kein GND-Personendatensatz. Letzte Überprüfung: 20. August 2022.
Personendaten
NAME Chabal, Yves
ALTERNATIVNAMEN Chabal, Yves Jean (vollständiger Name)
KURZBESCHREIBUNG US-amerikanischer Physiker
GEBURTSDATUM 5. August 1952
GEBURTSORT Pau, Frankreich