Arseniuro de indio
 Cristales de Arseniuro de indio | ||
| Nombre IUPAC | ||
| Arseniuro(III) de indio | ||
| General | ||
| Fórmula molecular | InAs | |
| Identificadores | ||
| Número CAS | 1303-11-3[1] | |
| InChI InChI=InChI=1S/As.In Key: RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N | ||
| Propiedades físicas | ||
| Apariencia | Similar al silicio | |
| Densidad | 5670 kg/m³; 5,67 g/cm³ | |
| Masa molar | 189,74 g/mol | |
| Punto de fusión | 942 °C (1215 K) | |
| Estructura cristalina | Cúbica | |
| Índice de refracción (nD) | 3.51 | |
| Banda prohibida | 0.354(300 K) eV | |
| Peligrosidad | ||
| NFPA 704 |
0 4 0 | |
| Valores en el SI y en condiciones estándar (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario. | ||
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El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico.
Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm.[2]
Debido a la alta movilidad electrónica (del orden de 40 000 cm2/(V*s))[3] y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz.
También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes.
Referencias
- ↑ Número CAS
- ↑ Indium Arsenide Detectors Archivado el 15 de septiembre de 2013 en Wayback Machine. Teledyne Judson Technologies
- ↑ InAs - Indium Arsenide, electrical properties
Enlaces externos
- Información detallada del InAs
| Control de autoridades |
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Datos: Q418583
Multimedia: Indium arsenide / Q418583
